PER-PIXEL DETECTOR BIAS CONTROL

A pixel includes a photo-diode, an integration capacitor arranged to receive a photo current from the photo-diode and to store charge developed from the photo current; and an injection transistor disposed between the photo-diode and the integration capacitor that controls flow of the photo current from the photo-diode to the integration capacitor, the injection transistor having a gate, a source electrically coupled to the photo-diode at a first node, and a drain electrically coupled to the integration capacitor. The injection transistor is a siliconoxidenitrideoxidesilicon (SONOS) FET having its gate set to a SONOS gate voltage to control a detector bias voltage of the photo-diode at the first node. La présente porte sur un pixel qui comprend une photodiode, un condensateur d'intégration conçu pour recevoir un courant photoélectrique en provenance de la photodiode et pour stocker une charge développée à partir du courant photoélectrique ; et un transistor d'injection disposé entre la photodiode et le condensateur d'intégration qui commande la circulation du courant photoélectrique de la photodiode au condensateur d'intégration, le transistor d'injection ayant une grille, une source couplée électriquement à la photodiode au niveau d'un premier nœud et un drain couplé électriquement au condensateur d'intégration. Le transistor d'injection est un transistor FET en silicium-oxyde de silicium (SONOS) ayant sa grille définie à une tension de grille SONOS pour commander une tension de polarisation de détecteur de la photodiode au niveau du premier nœud.