OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A SEMICONDUCTOR CONTACT LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei ein Halbleitermaterial der ersten und zweiten Halbleiterschicht (120, 130) jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial ist, welches ein erstes, ein zweites und ein drittes Zusammensetzungselement enthält, und einen zweiten Kontaktbereich (135) zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht (130). Der zweite Kontaktbereich (135) weist eine zweite metallische Kontaktschicht (134) sowie eine Halbleiterkontaktschicht (132) zwischen metallischer Kontaktschicht (134) und zweiter Halbleiterschicht (130) auf. Ein Halbleitermaterial der Halbleiterkontaktschicht (132) enthält das erste, zweite und dritte Zusammensetzungselement, wobei sich die Konzentration des ersten und zweiten Zusammensetzungselements von einer Position auf einer Seite der zweiten Halbleiterschicht (130) bis zu einer Position auf der Seite der zweiten metallischen Kontaktschicht (134) ändert. An optoelectronic semiconductor component (10) comprises a first semiconductor layer (120) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (130) of a second conductivity type, respective semiconductor materials of the first and second semiconductor layers (120, 130) each being a compound semiconductor material containing a first, a second and a third composition element, and a second contact region (135) for electrically contacting the second semiconductor layer (130). The second contact region (135) has a second metal contact layer (134) and a semiconductor contact layer (132) between the metal contact layer (134) and the second semiconductor layer (130). A semiconductor material of the semiconductor contact layer (132) contains the first, second and third composition elements, the concentration of the first and second composition elements changing from a position on a side of the second semiconductor layer (130) to a position on the side of the second metal contact layer (134). L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (10) comprenant une première couche semi-conductrice (120) d'un premier type de conductivité, une deuxième couche semi-conductrice (130) d'un deuxième type de conductivité, un matériau semi-conducteur des première et deuxième couches semi-conductrices (120, 130) étant respectivement un matériau semi-conducteur de liaison, lequel contient un p