METHODS AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LINERS

Methods and apparatus for producing a diffusion barrier layer. The semiconductor liner is formed by depositing a liner material on a substrate and thermally treating the liner material with a rapid thermal process (RTP) to form the semiconductor liner without an air break between deposition and thermal treatment. A material layer is then deposited on the diffusion barrier layer. The liner material may be deposited using an atomic layer deposition (ALD) based process. The RTP process operates at a temperature of approximately 600 degrees Celsius to approximately 1100 degrees Celsius. L'invention concerne des procédés et un appareil de production d'une couche barrière de diffusion. Le revêtement semi-conducteur est formé par dépôt d'un matériau de revêtement sur un substrat et traitement thermique du matériau de revêtement par un procédé thermique rapide (RTP) pour former le revêtement semi-conducteur sans coupure d'air entre le dépôt et le traitement thermique. Une couche de matériau est ensuite déposée sur la couche barrière de diffusion. Le matériau de revêtement peut être déposé à l'aide d'un procédé basé sur un dépôt en couches atomiques (ALD). Le procédé RTP est exécuté à une température comprise entre environ 600 degrés Celsius et environ 1100 degrés Celsius.