THIN FILM DEPOSITION METHOD USING ELECTRON AND ION CONTROLLING

The present invention relates to a thin film deposition method using electron and ion controlling, and the thin film deposition method according to one embodiment comprises a deposition cycle comprising the steps of: exposing a precursor on a structure by supplying the precursor to a chamber in which the structure is loaded; purging the precursor from the chamber; supplying a reaction plasma to the chamber, while bias is applied to the structure; and purging the reaction plasma from the chamber, wherein the step for supplying the reaction plasma can control at least one of an electron or ion generated by the reaction plasma through the bias applied to the structure, to move in the direction of the structure. La présente invention concerne un procédé de dépôt de film mince utilisant une commande d'électrons et d'ions, et le procédé de dépôt de film mince selon un mode de réalisation comprend un cycle de dépôt comprenant les étapes consistant à : exposer un précurseur sur une structure en fournissant le précurseur à une chambre dans laquelle la structure est chargée ; purger le précurseur de la chambre ; fournir un plasma de réaction à la chambre, tandis qu'une polarisation est appliquée à la structure ; et purger le plasma de réaction de la chambre, l'étape de fourniture de plasma de réaction pouvant commander un électron et/ou un ion généré par le plasma de réaction par l'intermédiaire de la polarisation appliquée à la structure, pour se déplacer dans la direction de la structure. 전자 및 이온 조절을 이용한 박막 증착 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 박막 증착 방법은 구조체가 로딩된 챔버에 전구체를 공급하여, 구조체 상에서 전구체를 노출시키는 단계와, 챔버에서 전구체를 퍼지시키는 단계와, 구조체에 바이어스를 인가한 상태에서 챔버에 반응 플라즈마를 공급하는 단계 및 챔버에서 반응 플라즈마를 퍼지시키는 단계로 구성되는 증착 사이클을 포함하고, 반응 플라즈마를 공급하는 단계는 구조체에 인가된 바이어스를 통해 반응 플라즈마로부터 생성되는 전자 및 이온 중 적어도 하나의 거동을 구조체의 방향으로 제어할 수 있다.