ALTERNATIVE INTEGRATION FOR REDISTRIBUTION LAYER PROCESS

In one example, a method for redistribution layer (RDL) process is described. A substrate is provided. A dielectric layer is deposited on top of the substrate. The dielectric layer is patterned. A barrier and copper seed layer are deposited on top of the dielectric layer. A photoresist layer is applied on top of the barrier and copper seed layer. The photoresist layer is patterned to correspond with the dielectric layer pattern. Copper is electrodepositing in the patterned regions exposed by the photoresist layer. The photoresist layer is removed. The copper and seed barrier are etched. Selon un exemple, la présente invention concerne un procédé pour un processus de couche de redistribution (RDL). Un substrat est fourni. Une couche diélectrique est déposée sur le dessus du substrat. Des motifs sont formés sur la couche diélectrique. Une barrière et une couche de germe de cuivre sont déposées au-dessus de la couche diélectrique. Une couche de résine photosensible est appliquée au-dessus de la barrière et de la couche de germe de cuivre. Des motifs sont formés sur la couche de résine photosensible de façon à correspondre au motif de couche diélectrique. Le cuivre est électrodéposé dans les régions à motifs rendues apparentes par la couche de résine photosensible. La couche de résine photosensible est retirée. La barrière et le germe de cuivre sont attaqués.