CONFORMAL DEPOSITION OF SILICON CARBIDE FILMS USING HETEROGENEOUS PRECURSOR INTERACTION

A doped or undoped silicon carbide film can be deposited using a remote plasma chemical vapor deposition (CVD) technique. One or more silicon-containing precursors are provided to a reaction chamber. Radical species, such as hydrogen radical species, are provided in a substantially low energy state or ground state and interact with the one or more silicon-containing precursors to deposit the silicon carbide film. A co-reactant may be flowed with the one or more silicon-containing precursors, where the co-reactant can be a depositing additive or a non-depositing additive to increase step coverage of the silicon carbide film. Un film de carbure de silicium dopé ou non dopé peut être déposé à l'aide d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma à distance. Un ou plusieurs précurseurs contenant du silicium sont fournis à une chambre de réaction. Des espèces radicalaires, telles que des espèces radicalaires d'hydrogène, sont fournies dans un état d'énergie sensiblement faible ou dans un état fondamental et interagissent avec le ou les précurseurs contenant du silicium pour déposer le film de carbure de silicium. Un coréactif peut être amené à s'écouler avec le ou les précurseurs contenant du silicium, le coréactif pouvant être un additif avec dépôt ou un additif sans dépôt pour augmenter la couverture par étapes du film de carbure de silicium.