TECHNIQUES, SYSTEM AND APPARATUS FOR SELECTIVE DEPOSITION OF A LAYER USING ANGLED IONS

A method is provided. The method may include providing a substrate, the substrate comprising a substrate surface, the substrate surface having a three-dimensional shape. The method may further include directing a depositing species from a deposition source to the substrate surface, wherein a layer is deposited on a deposition region of the substrate surface. The method may include performing a substrate scan during the directing or after the directing to transport the substrate from a first position to a second position. The method may also include directing angled ions to the substrate surface, in a presence of the layer, wherein the layer is sputter-etched from a first portion of the deposition region, and wherein the layer remains in a second portion of the deposition region. La présente invention concerne un procédé. Le procédé peut comprendre la fourniture d'un substrat, le substrat comprenant une surface de substrat, la surface de substrat ayant une forme tridimensionnelle. Le procédé peut en outre consister à diriger une espèce de dépôt d'une source de dépôt à la surface du substrat, une couche étant déposée sur une région de dépôt de la surface du substrat. Le procédé peut comprendre la réalisation d'un balayage de substrat pendant la direction ou après la direction pour transporter le substrat d'une première position à une seconde position. Le procédé peut également consister à diriger des ions inclinés vers la surface du substrat, en présence de la couche, la couche étant gravée par pulvérisation à partir d'une première partie de la région de dépôt, et la couche restant dans une seconde partie de la région de dépôt.