SEMICONDUCTOR ETCHING METHODS

A method of etching into a one or more epitaxial layers of respective semiconductor material(s) in a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) semiconductor structure, wherein the or each semiconductor material is a III-V semiconductor material, a III-N semiconductor material, or a II-VI semiconductor material is disclosed. The method comprises placing a substrate having the semiconductor structure thereon onto a support table in a plasma processing chamber, the semiconductor structure carrying a patterned mask on the surface of the semiconductor structure distal from the support table. The method also includes process steps of establishing a flow of an etch gas mixture through the plasma processing chamber and generating a plasma within the plasma processing chamber and simultaneously applying a radio frequency (RF) bias voltage to the support table; whereby the portion(s) of the semiconductor structure not covered by the patterned mask are exposed to the etch gas mixture plasma and are thereby etched to form at least one feature in the semiconductor structure; wherein more than 90% of the etch gas mixture consists of a mixture of silicon tetrachloride (SiCl4) and nitrogen (N2). L'invention concerne un procédé de gravure dans une ou plusieurs couches épitaxiales de matériau(x) semi-conducteur(s) respectif(s) dans une structure semi-conductrice de laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL), ledit matériau semi-conducteur étant un matériau semi-conducteur III-V, un matériau semi-conducteur III-N ou un matériau semi-conducteur II-VI. Le procédé consiste à placer un substrat ayant la structure semi-conductrice sur une table de support dans une chambre de traitement au plasma, la structure semi-conductrice portant un masque à motifs sur la surface de la structure semi-conductrice qui est distale par rapport à la table de support. Le procédé comprend également les étapes de processus consistant à établir un écoulement d'un mélange gazeux de gravure dans la chambre de traitement au plasma et à générer un plasma à l'intérieur de la chambre de traitement au plasma et à appliquer simultanément une tension de polarisation radiofréquence (RF) à la table de support ; les parties de la structure semi-conductrice non couvertes par le masque à motifs sont exposées au plasma de mélange gazeux de gravure et sont ainsi gravées pour former au moins une caractéristique dans la structure semi-conductrice ; plus de 90 % du mélange gazeux de gravure étant cons