HIGH DENSITY INTERCONNECTS IN AN EMBEDDED TRACE SUBSTRATE (ETS) COMPRISING A CORE LAYER

A substrate that includes a first substrate portion, a second substrate portion and a second dielectric layer. The first substrate portion includes a core layer having a first core surface, and a plurality of core substrate interconnects, wherein the plurality of core substrate interconnects includes a plurality of surface core substrate interconnects formed over the first surface of core layer. The second substrate portion includes a first dielectric layer having a first dielectric surface, the first dielectric surface facing the first core surface of the core layer, and a plurality of substrate interconnects, wherein the plurality of substrate interconnects includes a plurality of interconnects formed over the first dielectric surface. The second dielectric layer is formed between the first substrate portion and the second substrate portion such that the plurality of surface core substrate interconnects and the plurality of substrate interconnects are located in the second dielectric layer. La présente invention concerne un substrat qui comprend une première partie de substrat, une seconde partie de substrat et une seconde couche diélectrique. La première partie de substrat comprend une couche centrale ayant une première surface centrale et une pluralité d'interconnexions de substrat central, la pluralité d'interconnexions de substrat central comprenant une pluralité d'interconnexions de substrat central de surface formées sur la première surface de la couche centrale. La seconde partie de substrat comprend une première couche diélectrique ayant une première surface diélectrique, la première surface diélectrique faisant face à la première surface centrale de la couche centrale et à une pluralité d'interconnexions de substrat, la pluralité d'interconnexions de substrat comprenant une pluralité d'interconnexions formées sur la première surface diélectrique. La seconde couche diélectrique est formée entre la première partie de substrat et la seconde partie de substrat de telle sorte que la pluralité d'interconnexions de substrat central de surface et la pluralité d'interconnexions de substrat soient situées dans la seconde couche diélectrique.