METHODS FOR SILICIDE DEPOSITION

Methods for depositing a metal silicide are provide and include heating a substrate having a silicon-containing surface to a deposition temperature, and exposing the substrate to a deposition gas to deposit a silicide film on the silicon-containing surface during a chemical vapor deposition process....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LI, Xuebin, LIU, Patricia M
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Methods for depositing a metal silicide are provide and include heating a substrate having a silicon-containing surface to a deposition temperature, and exposing the substrate to a deposition gas to deposit a silicide film on the silicon-containing surface during a chemical vapor deposition process. The deposition gas contains a silicon precursor, a titanium or other metal precursor, and a phosphorus or other non-metal precursor. L'invention concerne des procédés de dépôt d'un siliciure métallique qui comprennent les étapes consistant à chauffer un substrat ayant une surface contenant du silicium à une température de dépôt et à exposer le substrat à un gaz de dépôt pour déposer un film de siliciure sur la surface contenant du silicium pendant un processus de dépôt chimique en phase vapeur. Le gaz de dépôt contient un précurseur du silicium, un précurseur du titane ou d'un autre métal et un précurseur du phosphore ou un autre précurseur non métallique.