SEMICONDUCTOR DEVICES WITH THROUGH SILICON VIAS AND PACKAGE-LEVEL CONFIGURABILITY

A semiconductor device assembly includes a substrate and a die coupled to the substrate, the die including a first contact pad electrically coupled to a first circuit on the die including an active circuit element, a first TSV electrically coupling the first contact pad to a first backside contact pad, and a second contact pad electrically coupled to a second circuit including only passive circuit elements. The substrate includes a substrate contact electrically coupled to the first and second contact pads. The assembly can further include a second die including a third contact pad electrically coupled to a third circuit including a second active circuit element, and a fourth contact pad electrically coupled to a fourth circuit on the second die including only passive circuit elements. The substrate contact can be electrically coupled to the third contact pad, but electrically disconnected from the fourth contact pad. L'invention concerne un ensemble dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat et une puce couplée au substrat, la puce comprenant un premier plot de contact couplé électriquement à un premier circuit sur la puce comprenant un élément de circuit actif, un premier TSV couplant électriquement le premier plot de contact à un premier plot de contact arrière, et un second plot de contact couplé électriquement à un second circuit comprenant uniquement des éléments de circuit passifs. Le substrat comprend un contact de substrat couplé électriquement aux premier et second plots de contact. L'ensemble peut en outre comprendre une seconde puce comprenant un troisième plot de contact couplé électriquement à un troisième circuit comprenant un second élément de circuit actif, et un quatrième plot de contact couplé électriquement à un quatrième circuit sur la seconde puce comprenant uniquement des éléments de circuit passifs. Le contact de substra peut être couplé électriquement au troisième plot de contact, mais déconnecté électriquement du quatrième plot de contact.