THIN-FILM RESISTOR IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

A method for manufacturing a thin film resistor (TFR) module in an integrated circuit (IC) structure is provided. A TFR trench may be formed in an oxide layer. A resistive TFR layer may be deposited over the structure and extending into the trench. Portions of the TFR layer outside the trench may be removed by CMP to define a TFR element including a laterally- extending TFR bottom region and a plurality of TFR ridges extending upwardly from the laterally-extending TFR bottom region. At least one CMP may be performed to remove all or portions of the oxide layer and at least a partial height of the TFR ridges. A pair of spaced- apart metal interconnects may then be formed over opposing end regions of the TFR element, wherein each metal interconnect contacts a respective upwardly-extending TFR ridge, to thereby define a resistor between the metal interconnects via the TFR element. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module de résistance à couche mince (TFR) dans une structure de circuit intégré (IC). Une tranchée de TFR peut être formée dans une couche d'oxyde. Une couche de TFR résistive peut être déposée sur la structure et s'étendre dans la tranchée. Des parties de la couche de TFR à l'extérieur de la tranchée peuvent être retirées par CMP pour définir un élément de TFR comprenant une région inférieure de TFR s'étendant latéralement et une pluralité d'arêtes de TFR s'étendant vers le haut à partir de la région inférieure de TFR s'étendant latéralement. Au moins un CMP peut être effectué pour retirer toutes les parties de la couche d'oxyde ou des parties de la couche d'oxyde et au moins une hauteur partielle des arêtes de TFR. Une paire d'interconnexions métalliques espacées peut ensuite être formée sur des régions d'extrémité opposées de l'élément de TFR, chaque interconnexion métallique entrant en contact avec une arête de TFR s'étendant vers le haut respective, pour ainsi définir une résistance entre les interconnexions métalliques par l'intermédiaire de l'élément de TFR.