METHOD AND APPARATUS FOR NON LINE-OF-SIGHT DOPING

A method of doping a substrate. The method may include providing a substrate in a process chamber. The substrate may include a semiconductor structure, and a dopant layer disposed on a surface of the semiconductor structure. The method may include maintaining the substrate at a first temperature for a first interval, the first temperature corresponding to a vaporization temperature of the dopant layer. The method may further include rapidly cooling the substrate to a second temperature, less than the first temperature, and heating the substrate from the second temperature to a third temperature, greater than the first temperature. La présente invention porte sur un procédé de dopage d'un substrat. Le procédé peut consister à placer un substrat dans une chambre de traitement. Le substrat peut comprendre une structure semi-conductrice, et une couche de dopant disposée sur une surface de la structure semi-conductrice. Le procédé peut consister à maintenir le substrat à une première température pendant une première période, la première température correspondant à une température de vaporisation de la couche de dopant. Le procédé peut en outre consister à refroidir rapidement le substrat à une deuxième température, inférieure à la première température, et à chauffer le substrat de la deuxième température à une troisième température, supérieure à la première température.