IN-SITU CVD AND ALD COATING OF CHAMBER TO CONTROL METAL CONTAMINATION

Embodiments of the systems and methods herein are directed towards forming, via ALD or CVD, a protective film in-situ on a plurality of interior components of a process chamber. The interior components coated with the protective film include a chamber sidewall, a chamber bottom, a substrate support pedestal, a showerhead, and a chamber top. The protective film can be of various compositions including amorphous Si, carbosilane, polysilicon, SiC, SiN, SiO2, Al2O3, AlON, HfO2, or Ni3Al, and can vary in thickness from about 80 nm to about 250 nm. Des modes de réalisation des systèmes et des procédés de l'invention concernent la formation in situ, par ALD ou CVD, d'un film protecteur sur une pluralité de composants internes d'une chambre de traitement. Les composants internes recouverts du film protecteur comprennent une paroi latérale de chambre, une partie inférieure de chambre, un socle de support de substrat, un diffuseur et une partie supérieure de chambre. Le film protecteur peut présenter diverses compositions contenant du Si amorphe, du carbosilane, du polysilicium, du SiC, du SiN, du SiO2, de l'Al2O3, de l'AlON, du HfO2 ou du Ni3Al. De plus, son épaisseur peut varier d'environ 80 nm à environ 250 nm.