SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING SYSTEM

In this solid-state imaging device, first charges are generated by at least two first photoelectric conversion elements during a first exposure period. At least two of the first charges are added together through floating diffusion. A first memory stores a first pixel signal based on the first charges. Second charges are generated by at least one second photoelectric conversion element during a second exposure period. At least a part of the second exposure period overlaps the first exposure period. The second charges are held in the floating diffusion. A second memory stores a second pixel signal based on the second charges. La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, dans lequel des premières charges sont générées par au moins deux premiers éléments de conversion photoélectrique pendant une première période d'exposition. Au moins deux des premières charges sont additionnées ensemble par diffusion flottante. Une première mémoire stocke un premier signal de pixel basé sur les premières charges. Des secondes charges sont générées par au moins un second élément de conversion photoélectrique pendant une seconde période d'exposition. Au moins une partie de la seconde période d'exposition chevauche la première période d'exposition. Les secondes charges sont maintenues lors de la diffusion flottante. Une seconde mémoire stocke un second signal de pixel basé sur les secondes charges. 固体撮像装置において、第１の露光期間に少なくとも２つの第１の光電変換素子で第１の電荷が生成される。少なくとも２つの前記第１の電荷は前記フローティングディフュージョンにおいて加算される。第１のメモリは、前記第１の電荷に基づく第１の画素信号を記憶する。第２の露光期間に少なくとも１つの第２の光電変換素子で第２の電荷が生成される。前記第２の露光期間の少なくとも一部は前記第１の露光期間と重なる。前記第２の電荷は前記フローティングディフュージョンに保持される。第２のメモリは、前記第２の電荷に基づく第２の画素信号を記憶する。