PROCESS REACTOR FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL DEPOSITION OF THIN FILM COATINGS AND VACUUM APPARATUS

The invention relates to vacuum process equipment. A reactor comprises a sealable split housing with a hollow discharge electrode installed in a first portion of said housing, the electrode comprising openings for feeding a plasma-forming gas into a coating deposition zone, and a passive electrode mounted in parallel to the discharge electrode, which represents a second portion of the housing; a system for evacuating gases; heating elements for heating a substrate; and a movable substrate holder located between said electrodes and configured to be capable of contact with said substrate along the periphery thereof such that the total contact surface area is less than 0.5% of the substrate area. Both housing portions are configured to be independently and reciprocally movable relative to each other in a direction perpendicular to the plane in which the substrate is positioned in the holder. A vacuum apparatus comprises a vacuum conduit with at least one of the process reactors located therein; a transporting system for moving the holder with the substrate within the vacuum conduit; and a system for evacuating gases from the vacuum conduit. The invention provides a reduction in mechanical damage and contamination of the substrate and makes it possible to apply thin film coatings on both sides of a flat substrate without turning it over. L'invention concerne des équipements industriels sous vide. Le réacteur comprend un corps hermétique démontable dans une première partie duquel se trouve une électrode active creuse comportant des ouvertures pour l'alimentation en gaz de travail vers la zone de déposition du revêtement, et une électrode passive disposée parallèlement à celle-ci et qui constitue ladite seconde partie du corps, un système de pompage des gaz, des éléments de chauffage pour chauffer un substrat et disposé entre lesdites électrodes, un support mobile du substrat pouvant entrer en contact avec celui-ci sur sa périphérie selon une surface de contact totale représentant moins de 0,5% de la surface du substrat. Les deux parties du corps peuvent effectuer un mouvement de va-et-vient indépendant dans une direction perpendiculaire au plan de disposition du substrat sur un support. L'installation sous vide comprend un couloir sous vide dans lequel se trouve au moins un de plusieurs réacteurs industriels, un système de transport pour déplacer le support avec le substrat dans le couloir sous vide, et un système de pompage des gaz hors du couloir sous vide. O