METHODS AND SYSTEMS FOR PATTERNING OF LOW ASPECT RATIO STACKS

Embodiments of methods and systems for patterning of low aspect ratio stacks are described. In one embodiment, a method may include receiving a substrate comprising a patterned organic planarizing layer (OPL) mask wherein a surface of the OPL mask is exposed, the OPL mask landing on a dielectric layer. The method may also include performing a partial etch of the dielectric layer in a region exposed by the OPL mask. Additionally, the method may include depositing a capping material on a surface of the OPL mask. The method may also include performing a cyclical process of the partial etch of the dielectric layer and deposition of the capping material on a surface of the OPL mask until the dielectric layer is removed to a target depth. In such embodiments, the cyclical process generates an output patterned substrate with a target line edge roughness (LER). Des modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés et des systèmes de formation de motifs de piles à faible rapport d'aspect. Dans un mode de réalisation, un procédé peut comprendre la réception d'un substrat comprenant un masque de couche de planarisation organique (OPL) à motifs, une surface du masque OPL étant à découvert et le masque OPL reposant sur une couche diélectrique. Le procédé peut également comprendre la réalisation d'une gravure partielle de la couche diélectrique dans une région mise à découvert par le masque OPL. De plus, le procédé peut comprendre le dépôt d'un matériau de recouvrement sur une surface du masque OPL. Le procédé peut également comprendre la réalisation d'un processus cyclique sur la gravure partielle de la couche diélectrique et du dépôt du matériau de recouvrement sur une surface du masque OPL jusqu'à ce que la couche diélectrique soit supprimée jusqu'à une profondeur cible. Dans de tels modes de réalisation, le processus cyclique génère un substrat de sortie à motifs ayant une rugosité de bord de ligne (LER) cible.