TARGET AND METHOD FOR PRODUCING A TARGET

Target für die physikalische Dampfphasenabscheidung, mit folgender chemischer Zusammensetzung: - 95 mol% bis 100 mol% aus einer Mischung von wenigstens zwei der nachstehenden Verbindungen: Titandiborid (TiB2) und/oder Vanadiumdiborid (VB2) und/oder Mischphasen ((Ti,V)B2) von Titandiborid (TiB2) und...

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Hauptverfasser: POLCIK, Peter, WOERLE, Sabine
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Target für die physikalische Dampfphasenabscheidung, mit folgender chemischer Zusammensetzung: - 95 mol% bis 100 mol% aus einer Mischung von wenigstens zwei der nachstehenden Verbindungen: Titandiborid (TiB2) und/oder Vanadiumdiborid (VB2) und/oder Mischphasen ((Ti,V)B2) von Titandiborid (TiB2) und Vanadiumdiborid (VB2) - 0,01 mol% bis 5 mol% Kohlenstoff (C) - weniger als 0,01 mol% andere Boride als Titandiborid (TiB2) und/oder Vanadiumdiborid (VB2) und/oder Mischphasen ((Ti,V)B2) von Titandiborid (TiB2) und Vanadiumdiborid (VB2) wobei in Bezug auf die metallische Reinheit die Summe aus der Mischung von Titandiborid (TiB2) und/oder Vanadiumdiborid (VB2) und/oder Mischphasen ((Ti,V)B2) von Titandiborid (TiB2) und Vanadiumdiborid (VB2) und dem Kohlenstoff (C) wenigstens 99,8 mol% beträgt, und mit folgenden physikalischen Eigenschaften: - einer Dichte größer als 90 %, vorzugsweise größer als 95 %, der theoretischen Dichte der oben definierten chemischen Zusammensetzung - einer mittleren Korngröße von Körnern der Mischung von Titandiborid (TiB2) und/oder Vanadiumdiborid (VB2) und/oder Mischphasen ((Ti,V)B2) von Titandiborid (TiB2) und Vanadiumdiborid (VB2) kleiner als 10 Mikrometer, vorzugsweise kleiner 3 Mikrometer. The invention relates to a target for physical vapor deposition, comprising the following chemical composition: 95 mol% to 100 mol% of a mixture of at least two of the following compounds: titanium boride (TiB2) and/or vanadium boride (VB2) and/or mixed phases ((Ti,V)B2) of titanium boride (TiB2) and vanadium boride (VB2); 0.01 mol% to 5 mol% of carbon (C); less than 0.01 mol% of other borides than titanium boride (TiB2) and/or vanadium boride (VB2) and/or mixed phases ((Ti,V)B2) of titanium boride (TiB2) and vanadium boride (VB2), wherein, in relation to the metallic purity, the sum of the mixture of titanium boride (TiB2) and/or vanadium boride (VB2) and/or mixed phases ((Ti,V)B2) of titanium boride (TiB2) and vanadium boride (VB2) and the carbon (C) is at least 99.8 mol%, and comprising the following physical properties: a density greater than 90%, preferably greater than 95% of the theoretic density of the chemical composition defined above; and an average particle size of particles of the mixture of titanium boride (TiB2) and/or vanadium boride (VB2) and/or mixed phases ((Ti,V)B2) of titanium boride (TiB2) and vanadium boride (VB2) of less than 10 micrometres, preferably less than 3 micrometres. La présente invention concerne une cible pour l