IMIDAZOLIDINETHIONE-CONTAINING COMPOSITIONS FOR POST-ASH RESIDUE REMOVAL AND/OR FOR OXIDATIVE ETCHING OF A LAYER OR MASK COMPRISING TiN

Described herein is a cleaning composition for post-etch or post-ash residue removal from the surface of a semiconductor substrate and a corresponding use of said cleaning composition. Further described is the use of said cleaning composition in combination with one or more oxidants, e.g. for oxidative etching or partial oxidative etching of a layer or mask, comprising or consisting of TiN, preferably in the presence of a tungsten material, on the surface of a semiconductor substrate, and/or for post-etch or post-ash residue removal from the surface of a semiconductor substrate. Moreover, it is described a wet-etch composition comprising the cleaning composition of the present invention and one or more oxidants, the use of said wet-etch composition for oxidative etching or partial oxidative etching of a layer or mask, comprising or consisting of TiN, preferably in the presence of a tungsten material, on the surface of a semiconductor substrate, and/or for post-etch or post-ash residue removal from the surface of a semiconductor substrate, a process for the manufacture of a semiconductor device from a semiconductor substrate using said wet-etch composition and a kit comprising the cleaning composition of the present invention and one or more oxidants. Furthermore, it is described the use of an imidazolidinethione in a composition for etching or partially etching of a layer or mask on the surface of a semiconductor substrate and/or for cleaning a semiconductor substrate. L'invention concerne une composition de nettoyage destinée à l'élimination de résidus de post-gravure ou de post-polissage d'une surface d'un substrat semi-conducteur ainsi qu'une utilisation correspondante de ladite composition de nettoyage. L'invention concerne en outre l'utilisation de ladite composition de nettoyage en combinaison avec un ou plusieurs oxydants, par exemple pour la gravure oxydative ou la gravure oxydative partielle d'une couche ou d'un masque, comprenant ou consistant en de l'étain, de préférence en présence d'un matériau de tungstène, sur la surface d'un substrat semi-conducteur, et/ou pour l'élimination de résidus de post-gravure ou de post-polissage de la surface d'un substrat semi-conducteur. De plus, l'invention concerne une composition de gravure par voie humide comprenant la composition de nettoyage de la présente invention et un ou plusieurs oxydants, l'utilisation de ladite composition de gravure par voie humide pour la gravure oxydative ou la gravure oxydative