SPUTTERING TARGET

Provided is a sputtering target that can be used to form a buffer layer that, if a magnetic recording layer granular film is layered above a ruthenium underlayer, makes good separation of magnetic crystal particles in the magnetic recording layer granular film possible. The sputtering target contains a metal and an oxide, wherein: if the entirety of the contained metal is a single metal, the contained metal is a non-magnetic metal that includes an HCP structure; the lattice constant a of the HCP structure included in the non-magnetic metal is 2.59-2.72 Å; the contained metal includes at least 4 at% of ruthenium metal with respect to the entirety of the metal; the content of the oxide is 20-50 vol%; and the melting point of the contained oxide is at least 1700°C. L'invention concerne une cible de pulvérisation qui peut être utilisée pour former une couche tampon qui, si un film granulaire de couche d'enregistrement magnétique est déposé sous forme d'une couche au-dessus d'une sous-couche de ruthénium, rend possible une bonne séparation des particules de cristaux magnétiques dans le film granulaire de couche d'enregistrement magnétique. La cible de pulvérisation contient un métal et un oxyde ; si la totalité du métal contenu est un métal unique, le métal contenu étant un métal non magnétique qui contient une structure HCP ; la constante de réseau a de la structure HCP comprise dans le métal non magnétique étant de 2,59 à 2,72 Å ; le métal contenu contenant au moins 4 % en atomes de ruthénium métallique par rapport à la totalité du métal ; la teneur en l'oxyde étant de 20 à 50 % en volume ; et le point de fusion de l'oxyde contenu étant d'au moins 1 700 °C. 磁気記録層グラニュラ膜をＲｕ下地層の上方に積層させる場合において、磁気記録層グラニュラ膜中の磁性結晶粒同士を良好に分離させることを可能にするバッファ層の形成に用いることができるスパッタリングターゲットを提供する。 金属および酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、含有する前記金属は、その全体を単一の金属にしたとき、ｈｃｐ構造を含む非磁性金属となり、該非磁性金属に含まれる前記ｈｃｐ構造の格子定数ａは２．５９Å以上２．７２Å以下であり、また、含有する前記金属には、該金属の全体に対して金属Ｒｕが４ａｔ％以上含まれており、また、前記酸化物を２０ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下含有し、含有する前記酸化物の融点は１７００℃以上である。