OVERLAY MEASUREMENT USING MULTIPLE WAVELENGTHS

A method of determining OVL in a pattern in a semiconductor wafer manufacturing process comprises capturing images from a cell in a metrology target formed in at least two different layers in the wafer with parts of the target offset in opposing directions with respect to corresponding parts in a different layer. The images may be captured using radiation of multiple different wavelengths, each image including + 1 and - 1 diffraction patterns. A first and second differential signal may be determined for respective pixels in each image by subtracting opposing pixels from the + 1 and - 1 diffraction orders for each of the multiple wavelengths. An OVL for the respective pixels may be determined based on analyzing the differential signals from multiple wavelengths simultaneously. Then an OVL for the pattern may be determined as a weighted average of the OVL of the respective pixels. The weighting may be according to the sensitivity of the OVL to variation in wavelength. L'invention concerne un procédé de détermination de la superposition dans un motif dans un procédé de fabrication de galette en semiconducteur, comprenant la capture d'images à partir d'une cellule dans une cible de métrologie formée dans au moins deux couches différentes dans la galette avec des parties du décalage cible dans des directions opposées par rapport à des parties correspondantes dans une couche différente. Les images peuvent être capturées en utilisant un rayonnement de multiples longueurs d'onde différentes, chaque image comprenant des motifs de diffraction +1 et -1. Un premier et un deuxième signal différentiel peuvent être déterminés pour des pixels respectifs dans chaque image en soustrayant les pixels opposés des ordres de diffraction +1 et -1 pour chacune des multiples longueurs d'onde. Une superposition des pixels respectifs peut être déterminée en se basant sur l'analyse des signaux différentiels à partir de multiples longueurs d'onde simultanément. Une superposition du motif peut être déterminée en tant que moyenne pondérée de la superposition des pixels respectifs. La pondération peut être fonction de la sensibilité de la superposition à une variation de longueur d'onde.