SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ENHANCED CONTACT STRUCTURES HAVING A SUPERLATTICE AND RELATED METHODS

A semiconductor device (30) may include a semiconductor substrate (31) having a trench (32) therein, and a superlattice liner (25) at least partially covering bottom and sidewall portions of the trench. The superlattice liner may include stacked groups of layers, with each group of layers including stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion, and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. The semiconductor device further includes a semiconductor cap layer (33) on the superlattice liner and having a dopant (34) constrained therein by the superlattice liner, and a conductive body (36, 37) within the trench. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (30) qui peut comprendre un substrat semi-conducteur (31) ayant une tranchée (32) à l'intérieur de celui-ci, et un revêtement de super-réseau (25) recouvrant au moins partiellement des parties inférieure et de paroi latérale de la tranchée. Le revêtement de super-réseau peut comprendre des groupes empilés de couches, chaque groupe de couches comprenant une pluralité de monocouches semi-conductrices de base définissant une partie semi-conductrice de base, et au moins une monocouche non semi-conductrice contrainte à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base adjacentes. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une couche de recouvrement semi-conductrice (33) sur le revêtement de super-réseau et ayant un dopant (34) contraint à l'intérieur de celle-ci par le revêtement de super-réseau, et un corps conducteur (36, 37) à l'intérieur de la tranchée.