CONFINED CONTACT AREA ON A SILICON WAFER

The invention provides a method of preparing a metallization structure on a solar cell. The method includes patterning a first composition on a surface of a semiconductor substrate; and applying a second composition over the first composition. An area covered by the first composition is 5-95% of an...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WANG, Lei, GUO, Cuiwen, CHEN, Chi Long, YAN, Li, CHANDRASEKARAN, Vinodh, HAN, Jing (Crystal), ZHANG, Weiming, JIANG, Lin
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CABLES CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS CHEMISTRY CONDUCTORS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GLASS INSULATORS JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS SURFACE TREATMENT OF GLASS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The invention provides a method of preparing a metallization structure on a solar cell. The method includes patterning a first composition on a surface of a semiconductor substrate; and applying a second composition over the first composition. An area covered by the first composition is 5-95% of an area covered by the second composition. The semiconductor substrate is then subjected to firing conditions. The invention also provides a metallization structure formed using the method described herein. L'invention concerne un procédé de préparation d'une structure de métallisation sur une cellule solaire. Le procédé consiste à former un motif sur une première composition sur une surface d'un substrat semi-conducteur; et à appliquer une seconde composition sur la première composition. Une zone couverte par la première composition représente de 5 à 95 % d'une zone couverte par la seconde composition. Le substrat semi-conducteur est ensuite soumis à des conditions de cuisson. L'invention concerne également une structure de métallisation formée à l'aide dudit procédé.