FLOATING GATE SPACER FOR CONTROLLING A SOURCE REGION FORMATION IN A MEMORY CELL

A method is provided for forming an integrated circuit memory cell, e.g., flash memory cell. A pair of spaced-apart floating gate structures may be formed over a substrate. A non-conformal spacer layer may be formed over the structure, and may include spacer sidewall regions laterally adjacent the floating gate sidewalls. A source implant may be performed, e.g., via HVII, to define a source implant region in the substrate. The spacer sidewall region substantially prevents penetration of source implant material, such that the source implant region is self-aligned by the spacer sidewall region. The source implant material diffuses laterally to extend partially under the floating gate. Using the non-conformal spacer layer, including the spacer sidewall regions, may (a) protect the upper corner, or "tip" of the floating gate from rounding and (b) provide lateral control of the source junction edge location under each floating gate. L'invention concerne un procédé de formation d'une cellule de mémoire à circuit intégré, par exemple une cellule de mémoire flash. Une paire de structures de grille flottante espacées l'une de l'autre peut être formée sur un substrat. Une couche d'espaceur non conforme peut être formée sur la structure, et peut comporter des zones de paroi latérale d'espaceur latéralement adjacentes aux parois latérales de grille flottante. Une implantation de source peut être réalisée, par exemple par HVII, pour définir une zone d'implantation de source dans le substrat. La zone de paroi latérale d'espaceur empêche sensiblement la pénétration d'un matériau d'implantation de source, de telle sorte que la zone d'implantation de source soit auto-alignée par la zone de paroi latérale d'espaceur. Le matériau d'implantation de source se diffuse latéralement pour s'étendre partiellement sous la grille flottante. L'utilisation de la couche d'espaceur non conforme, comprenant les zones de paroi latérale d'espaceur, peut (a) protéger le coin supérieur ou « pointe » de la grille flottante contre un arrondissement et (b) assurer une maîtrise latérale de l'emplacement du bord d'une jonction de source sous chaque grille flottante.