SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention simplifies the formation of an isolation region of a semiconductor substrate having an increased film thickness. This semiconductor device is provided with: an element region, a wiring region, an external connection unit, a front surface side isolation region, and a rear surface side isolation region. The element region is formed in the semiconductor substrate. A wiring layer is arranged on one surface of the semiconductor substrate and is electrically connected to the element region. The external connection unit is electrically connected to the wiring layer. The front surface side isolation region is arranged surrounding the external connection unit and is formed from the surface at which the wiring region is arranged on the semiconductor substrate, to a depth near a central part of the semiconductor substrate. The rear surface side isolation region is arranged surrounding the external connection unit and is formed from a surface of the semiconductor substrate that differs from the surface at which the wiring region is arranged, to a depth adjacent to the bottom part of the front surface side isolation region. La présente invention simplifie la formation d'une région d'isolation d'un substrat semi-conducteur ayant une épaisseur de film accrue. Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'une région d'élément, d'une région de câblage, d'une unité de connexion externe, d'une région d'isolation côté surface avant et d'une région d'isolation côté surface arrière. La région d'élément est formée dans le substrat semi-conducteur. Une couche de câblage est disposée sur une surface du substrat semi-conducteur et est électriquement connectée à la région d'élément. L'unité de connexion externe est électriquement connectée à la couche de câblage. La région d'isolation côté surface avant est agencée autour de l'unité de connexion externe et est formée à partir de la surface au niveau de laquelle la région de câblage est disposée sur le substrat semi-conducteur, à une profondeur proche d'une partie centrale du substrat semi-conducteur. La région d'isolation côté surface arrière est disposée autour de l'unité de connexion externe et est formée à partir d'une surface du substrat semi-conducteur qui diffère de la surface à laquelle la région de câblage est agencée, à une profondeur adjacente à la partie inférieure de la région d'isolation côté surface avant. 厚膜化した半導体基板において分離領域の形成を容易に行う。 半導体装置は、素子領域と配線領域と外部接続部と表面側分離領域と裏面側分離領域とを備える。素子領域は、半導体基板に形成される。