SUBSTRATE BONDING STRUCTURE

This substrate joining structure is obtained by bonding a substrate (1) and a substrate-bonded member (2) to each other. First electrode pads (11) of the substrate (1) and second electrode pads (21) of the substrate-bonded member (2) are connected to each other via a conductive bonding material. The surfaces of the first electrode pads (11) are located at lower positions than the surface of a first resist film (12) which surrounds the first electrode pads (11). The area of an opening (12AP) is larger than the area of an opening (22AP). In a planar view, the entirety of the opening (22AP) overlaps the opening (12AP), and the conductive bonding material is provided in a space between the opening (12AP) and the opening (22AP). L'invention concerne une structure de jonction de substrat qui est obtenue par liaison d'un substrat (1) et d'un élément lié à un substrat (2) l'un à l'autre. Des premiers plots d'électrode (11) du substrat (1) et des seconds plots d'électrode (21) de l'élément lié à un substrat (2) sont reliés les uns aux autres par l'intermédiaire d'un matériau de liaison conducteur. Les surfaces des premiers plots d'électrode (11) sont situées à des positions inférieures à la surface d'un premier film de réserve (12) qui entoure les premiers plots d'électrode (11). La zone d'une ouverture (12AP) est plus grande que la zone d'une ouverture (22AP). Dans une vue en plan, la totalité de l'ouverture (22AP) chevauche l'ouverture (12AP), et le matériau de liaison conducteur est disposé dans un espace entre l'ouverture (12AP) et l'ouverture (22AP). 基板接合構造は基板（１）と基板接合部材（２）とが接合されたものである。基板（１）の第１電極パッド（１１）と基板接合部材（２）の第２電極パッド（２１）とは導電性接合材を介して接続される。第１電極パッド（１１）の表面は、第１電極パッド（１１）の周囲の第１レジスト膜（１２）の表面よりも低い位置にあって、開口部（１２ＡＰ）の面積は開口部（２２ＡＰ）の面積よりも大きく、平面視で、開口部（２２ＡＰ）の全体は開口部（１２ＡＰ）に重なり、開口部（１２ＡＰ）と開口部（２２ＡＰ）との間の空間に導電性接合材が設けられる。