SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

A first alignment resin (4) is formed in an annular shape on an electrode (3) of an insulating substrate (1). A first plate solder (5) having a thickness smaller than that of the first alignment resin (4) is disposed on the electrode (3) on the inner side of the annular shape of the first alignment resin (4). A semiconductor chip (6) is disposed on the first plate solder (5). The lower surface of the semiconductor chip (6) is bonded to the electrode (3) by melting the first plate solder (5). L'invention concerne une première résine d'alignement (4) qui est formée sous une forme annulaire sur une électrode (3) d'un substrat isolant (1). Une première soudure de plaque (5) ayant une épaisseur inférieure à celle de la première résine d'alignement (4) est disposée sur l'électrode (3) sur le côté interne de la forme annulaire de la première résine d'alignement (4). Une puce semi-conductrice (6) est disposée sur la première soudure de plaque (5). La surface inférieure de la puce semi-conductrice (6) est liée à l'électrode (3) par fusion de la première soudure de plaque (5). 絶縁基板（１）の電極（３）の上に環状に第１の位置決め樹脂（４）を形成する。第１の位置決め樹脂（４）の環の内側において電極（３）の上に、第１の位置決め樹脂（４）よりも厚みが薄い第１の板はんだ（５）を配置する。第１の板はんだ（５）の上に半導体チップ（６）を配置する。第１の板はんだ（５）を溶融して半導体チップ（６）の下面を電極（３）に接合する。