MEMORY CELL WITH A FLAT-TOPPED FLOATING GATE STRUCTURE

A memory cell, e.g., a flash memory cell, includes a substrate, a flat-topped floating gate formed over the substrate, and a flat-topped oxide region formed over the flat-topped floating gate. The flat-topped floating gate may have a sidewall with a generally concave shape that defines an acute angle at a top corner of the floating gate, which may improve a program or erase efficiency of the memory cell. The flat-topped floating gate and overlying oxide region may be formed with without a floating gate thermal oxidation that forms a conventional "football oxide." A word line and a separate erase gate may be formed over the floating gate and oxide region. The erase gate may overlap the floating gate by a substantially greater distance than the word line overlaps the floating gate, which may allow the program and erase coupling to the floating gate to be optimized independently. L'invention concerne une cellule de mémoire, par exemple une cellule de mémoire flash, comprenant un substrat, une grille flottante à dessus plat formée sur le substrat et une région d'oxyde à dessus plat formée sur la grille flottante à dessus plat. La grille flottante à dessus plat peut avoir une paroi latérale ayant une forme globalement concave qui délimite un angle aigu au niveau d'un coin supérieur de la grille flottante, ce qui peut améliorer un rendement de programme ou d'effacement de la cellule de mémoire. La grille flottante à dessus plat et la région d'oxyde sus-jacente peuvent être formées avec ou sans oxydation thermique de grille flottante qui forme un "oxyde de football" classique. " Une ligne de mots et une grille d'effacement séparée peuvent être formées sur la grille flottante et la région d'oxyde. La grille d'effacement peut chevaucher la grille flottante d'une distance sensiblement supérieure à celle dont la ligne de mots chevauche la grille flottante, ce qui peut permettre au couplage de programme et d'effacement à la grille flottante d'être optimisé indépendamment.