METHOD FOR COMBINING NVM CLASS AND SRAM CLASS MRAM ELEMENTS ON THE SAME CHIP
A method for manufacturing a magnetic random access memory chip having magnetic memory elements with different performance characteristics formed on the same chip. The magnetic memory elements can be magnetic random access memory elements. The memory chip can have a first set of magnetic random acce...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A method for manufacturing a magnetic random access memory chip having magnetic memory elements with different performance characteristics formed on the same chip. The magnetic memory elements can be magnetic random access memory elements. The memory chip can have a first set of magnetic random access chips having a first set of physical and performance characteristics formed in a first area of the sensor and a second set of magnetic random access chips having a second set of performance characteristics formed in a second area of the chip. For example, the first set of magnetic random access memory elements can have performance characteristics that match or exceed those of a non-volatile memory, whereas the second set of magnetic random access memory elements can have performance characteristic that match or exceed those of a static random access memory element.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de mémoire à accès aléatoire magnétique ayant des éléments de mémoire magnétique ayant différentes caractéristiques de performance formées sur la même puce. Les éléments de mémoire magnétique peuvent être des éléments de mémoire à accès aléatoire magnétique. La puce de mémoire peut avoir un premier ensemble de puces à accès aléatoire magnétique ayant un premier ensemble de caractéristiques physiques et de performance formées dans une première zone du capteur et un second ensemble de puces à accès aléatoire magnétique ayant un second ensemble de caractéristiques de performance formées dans une seconde zone de la puce. Par exemple, le premier ensemble d'éléments de mémoire à accès aléatoire magnétique peut avoir des caractéristiques de performance qui correspondent ou dépassent celles d'une mémoire non volatile, tandis que le second ensemble d'éléments de mémoire à accès aléatoire magnétique peut avoir des caractéristiques de performance qui correspondent ou dépassent celles d'un élément de mémoire à accès aléatoire statique. |
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