METHODS OF FORMING STAIRCASE STRUCTURES AND RELATED STAIRCASE STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES
Methods of forming staircase structures. The method comprises forming a patterned hardmask over tiers. An exposed portion of an uppermost tier is removed to form an uppermost stair. A first liner material is formed over the patterned hardmask and the uppermost tier, and a portion of the first liner...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Methods of forming staircase structures. The method comprises forming a patterned hardmask over tiers. An exposed portion of an uppermost tier is removed to form an uppermost stair. A first liner material is formed over the patterned hardmask and the uppermost tier, and a portion of the first liner material is removed to form a first liner and expose an underlying tier. An exposed portion of the underlying tier is removed to form an underlying stair in the underlying tier. A second liner material is formed over the patterned hardmask, the first liner, and the second liner. A portion of the second liner material is removed to form a second liner and expose another underlying tier. An exposed portion of the another underlying tier is removed to form another underlying stair. The patterned hardmask is removed. Staircase structures and semiconductor device structure are also disclosed.
L'invention concerne des procédés de formation de structures en escalier. Le procédé comprend la formation d'un masque dur à motifs sur des niveaux. Une partie apparente d'un niveau supérieur est éliminée pour former une marche supérieure. Un premier matériau de revêtement est formé sur le masque dur à motifs et le niveau supérieur, et une partie du premier matériau de revêtement est éliminée pour former un premier revêtement et faire apparaître un niveau sous-jacent. Une partie apparente du niveau sous-jacent est éliminée pour former une marche sous-jacente dans le niveau sous-jacent. Un second matériau de revêtement est formé sur le masque dur à motifs, le premier revêtement et le second revêtement. Une partie du second matériau de revêtement est éliminée pour former un second revêtement et faire apparaître un autre niveau sous-jacent. Une partie apparente de l'autre niveau sous-jacent est éliminée pour former une autre marche sous-jacente. Le masque dur à motifs est éliminé. L'invention concerne également des structures en escalier et une structure de dispositif à semi-conducteur. |
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