MATERIALS COMPRISING LITHIUM ALUMINUM SILICATE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECHNIQUES, SEMICONDUCTOR PACKAGING TECHNIQUES, OR SEMICONDUCTOR PACKAGES

Materials (e.g., polymer composites, etc.) comprising fillers that include lithium aluminum silicate (LAS fillers) for semiconductor packages are described. A polymer composite comprising an LAS filler can have a lower amount of filler than a same polymer composite comprising a currently available filler comprising silica (silica filler). This lower amount of an LAS filler can be used to modify a polymer composite to achieve a given or desired target CTE of the polymer composite. Also, the CTE of a polymer composite comprising an LAS filler can be relatively lower than CTEs of a polymer composite that include a currently available silica filler. LAS fillers can assist with: reducing manufacturing costs and development time of fabricating a semiconductor package; improving miniaturization of semiconductor packages and semiconductor reliability; and increasing I/O density. L'invention concerne des matériaux (par exemple, des composites polymères, etc.) comprenant des charges qui comprennent du silicate de lithium et d'aluminium (charges LAS) pour des boîtiers de semi-conducteurs. Un composite polymère comprenant une charge LAS peut contenir une plus faible quantité de charge qu'un même composite polymère comprenant une charge actuellement disponible comprenant de la silice (charge de silice). Cette plus faible quantité d'une charge LAS peut être utilisée pour modifier un composite polymère afin d'obtenir un coefficient de dilatation thermique (CTE) cible donné ou souhaité du composite polymère. En outre, le CTE d'un composite polymère comprenant une charge LAS peut être relativement inférieur au CTE d'un composite polymère qui comprend une charge de silice actuellement disponible. Les charges LAS peuvent aider à : réduire les coûts de fabrication et le temps de mise au point de fabrication d'un boîtier de semi-conducteurs ; améliorer la miniaturisation des boîtiers de semi-conducteurs et la fiabilité des semi-conducteurs ; et augmenter la densité d'entrées/sorties (E/S).