SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (100) is characterized by being provided with: a heat sink (3) having a mounting surface (3b), a heat dissipating surface (3a), a side surface (3c), and engaging sections (3d, 3e, 3f, 3g); a semiconductor chip (4) mounted on the mounting surface of the heat sink; a lead frame (9) engaged with the engaging sections of the heat sink; and a molding resin (7) sealing the heat sink, semiconductor chip, and lead frame. The semiconductor device is also characterized in that the engaging sections of the heat sink are disposed at areas excluding the mounting surface of the heat sink. The engaging sections of the heat sink comprise a dowel (3g) formed on the heat dissipating surface of the heat sink. Furthermore, the engaging sections of the heat sink comprise a dowel (3f) formed on the side surface of the heat sink. Un dispositif à semi-conducteur (100) est caractérisé en ce qu'il comprend : un dissipateur thermique (3) ayant une surface de montage (3b), une surface de dissipation de chaleur (3a), une surface latérale (3c) et des sections de mise en prise (3d, 3e, 3f, 3g) ; une puce semi-conductrice (4) montée sur la surface de montage du dissipateur thermique ; une grille de connexion (9) en prise avec les sections de mise en prise du dissipateur thermique ; et une résine de moulage (7) scellant le dissipateur thermique, la puce semi-conductrice et la grille de connexion. Le dispositif à semi-conducteur est également caractérisé en ce que les sections de mise en prise du dissipateur thermique sont disposées dans des zones excluant la surface de montage du dissipateur thermique. Les sections de mise en prise du dissipateur thermique comprennent une cheville (3g) formée sur la surface de dissipation de chaleur du dissipateur thermique. En outre, les sections de mise en prise du dissipateur thermique comprennent une cheville (3f) formée sur la surface latérale du dissipateur thermique. 搭載面（３ｂ）、放熱面（３ａ）、側面（３ｃ）、および係合部（３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ）を有するヒートシンク（３）と、前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップ（４）と、前記ヒートシンクの係合部に係合されているリードフレーム（９）と、前記ヒートシンク、前記半導体チップおよび前記リードフレームを封止しているモールド樹脂（７）と、を備え、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とする半導体装置（１００）。前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの放熱面に形成されているダボ（３ｇ）からなるものである。また、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの側面に形成されているダボ（３ｆ）からなるものである。