NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF BLANK CHECK

A non-volatile memory device and methods for operating the same are provided. The memory device may have multiple complementary memory cells. The method of blank check includes detecting a state value of each of the true and complementary transistors, generating an upper state value, wherein a first predetermined amount of the true and complementary transistors have greater state values than the upper state value, generating a lower state value, wherein a second predetermined amount of the true and complementary transistors have less state values than the lower state value, generating a state value range based on a difference between the upper state value and the lower state value, and comparing the state value range to a threshold value to determine whether the plurality of complementary memory cells is in a blank state or a non-blank state. Other embodiments are also disclosed herein. L'invention concerne un dispositif de mémoire non volatile et ses procédés de fonctionnement. Le dispositif de mémoire peut comporter de multiples cellules de mémoire complémentaires. Le procédé de vérification de vide comprend la détection d'une valeur d'état de chacun des transistors vrai et complémentaire, la génération d'une valeur d'état supérieure, une première quantité prédéterminée des transistors vrai et complémentaire présentant des valeurs d'état supérieures à la valeur d'état supérieure, la génération d'une valeur d'état inférieure, une seconde quantité prédéterminée des transistors vrai et complémentaire présentant moins de valeurs d'état que la valeur d'état inférieure, la génération d'une plage de valeurs d'état sur la base d'une différence entre la valeur d'état supérieure et la valeur d'état inférieure, et la comparaison de la plage de valeurs d'état à une valeur de seuil afin de déterminer si la pluralité de cellules de mémoire complémentaires est dans un état vide ou dans un état non vide. D'autres modes de réalisation sont également décrits.