A METHOD FOR MANUFACTURING A FLUID SENSOR DEVICE AND A FLUID SENSOR DEVICE
According to an aspect of the present inventive concept there is provided a method for manufacturing a fluid sensor device comprising: bonding a silicon-on-insulator arrangement comprising a silicon wafer, a buried oxide, a silicon layer, and a first dielectric layer, to a CMOS arrangement comprisin...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | According to an aspect of the present inventive concept there is provided a method for manufacturing a fluid sensor device comprising: bonding a silicon-on-insulator arrangement comprising a silicon wafer, a buried oxide, a silicon layer, and a first dielectric layer, to a CMOS arrangement comprising a metallization layer and a planarized dielectric layer, wherein the bonding is performed via the first dielectric layer and the planarized dielectric layer; forming a fin-FET arrangement in the silicon layer, wherein the fin-FET arrangement is configured to function as a fluid sensitive fin-FET arrangement; removing the buried oxide and the silicon wafer; forming a contact to the metallization layer and the fin-FET arrangement, wherein the contact comprises an interconnecting structure configured to interconnect the metallization layer and the fin-FET arrangement; forming a channel comprising an inlet and an outlet, wherein the channel is configured to allow a fluid comprising an analyte to contact the fin-FET arrangement.
Selon un aspect du présent concept, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de capteur de fluide consistant à : coller un agencement silicium sur isolant comprenant une tranche de silicium, un oxyde enterré, une couche de silicium, et une première couche diélectrique, sur un agencement CMOS comprenant une couche de métallisation et une couche diélectrique planarisée, le collage étant réalisé par l'intermédiaire de la première couche diélectrique et de la couche diélectrique planarisée ; former un agencement de transistor à effet de champ à ailettes (fin-FET) dans la couche de silicium, l'agencement de fin-FET étant configuré pour fonctionner comme un agencement fin-FET sensible au fluide ; retirer l'oxyde enterré et la tranche de silicium ; former un contact sur la couche de métallisation et l'agencement fin-FET, le contact comprenant une structure d'interconnexion configurée pour interconnecter la couche de métallisation et l'agencement fin-FET ; former un canal comprenant une entrée et une sortie, le canal étant configuré pour permettre à un fluide comprenant un analyte de venir en contact avec l'agencement fin-FET. |
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