MAGNETORESITIVE MAGNETIC FIELD SENSOR BRIDGE WITH COMPENSATED CROSS-AXIS EFFECT

In one embodiment, a magnetoresistive (MR) magnetic field sensor system includes a MR magnetic field sensor bridge. The MF magnetic field sensor bridge includes a sense leg with a sense element with a first layer with a first fixed magnetization orientation and,a second layer with a first free magnetization orientation, the first free magnetization orientation orthogonal to the first fixed magnetization orientation at a zero applied magnetic field. A reference leg of the MF magnetic field sensor bridge is electronically connected in parallel to the sense leg. The reference leg includes at least one reference element with a third layer with a second fixed magnetization orientation parallel to, and in the same direction as, the first fixed magnetization orientation, and a fourth layer with a second free magnetization orientation, the second free magnetization orientation parallel to the first fixed magnetization orientation at the zero applied magnetic field. Un mode de réalisation de l'invention concerne un système de capteur de champ magnétique magnétorésistant (MR) comprenant un pont de capteur de champ magnétique MR. Le pont de capteur de champ magnétique MF comprend une patte de détection possédant un élément de détection comprenant une première couche présentant une première orientation de magnétisation fixe et une deuxième couche présentant une première orientation de magnétisation libre, la première orientation de magnétisation libre étant orthogonale à la première orientation de magnétisation fixe à un champ magnétique appliqué nul. Une patte de référence du pont de capteur de champ magnétique MF est connectée électroniquement en parallèle à la patte de détection. La patte de référence comprend au moins un élément de référence comprenant une troisième couche présentant une deuxième orientation de magnétisation fixe parallèle à la première orientation de magnétisation fixe et dans la même direction que cette dernière, et une quatrième couche présentant une deuxième orientation de magnétisation libre, la deuxième orientation de magnétisation libre étant parallèle à la première orientation de magnétisation fixe au champ magnétique appliqué nul.