SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS

[Problem] To provide a substrate liquid processing apparatus, which is capable of suppressing temperature decrease in the outer peripheral portion of a substrate. [Solution] A substrate liquid processing apparatus 5, which performs a liquid processing of a processing surface Sw of a substrate W by means of a processing liquid L1, is provided with: a substrate holding part 52 that holds the substrate W; a processing liquid supply part 53 that supplies the processing liquid L1 to the processing surface Sw of the substrate W, which is held by the substrate holding part 52; a cover unit 10 that comprises a heater 63 and is able to be arranged at a lower position at which the substrate W is arranged inside the cover unit and the processing surface Sw is covered thereby; and an annular wall 40 that is provided so that at least a part thereof surrounds the outer peripheral portion of the substrate W when viewed in plan. The annular wall 40 suppresses at least one of inflow and outflow of a gas into/from the space around the outer peripheral portion of the substrate W. L'invention vise à fournir un appareil de traitement de substrat au moyen d'un liquide, qui est capable de supprimer une baisse de température dans la partie périphérique externe d'un substrat. A cet effet, l'invention concerne un appareil de traitement de substrat (5) au moyen d'un liquide, effectuant un traitement par liquide d'une surface de traitement (Sw) d'un substrat (W) au moyen d'un liquide de traitement (L1) : l'appareil comprenant une partie de maintien de substrat (52) qui maintient le substrat (W); une partie d'alimentation en liquide de traitement (53) qui fournit le liquide de traitement (L1) à la surface de traitement (Sw) du substrat (W), maintenue par la partie de maintien de substrat (52); une unité de recouvrement (10) qui comprend un dispositif de chauffage (63) et peut être disposée à une position inférieure dans laquelle le substrat (W) est disposé à l'intérieur de l'unité de recouvrement et la surface de traitement (Sw) est recouverte par celle-ci; et une paroi annulaire (40) qui est disposée de telle sorte qu'au moins une partie de celle-ci entoure la partie périphérique externe du substrat (W) lorsqu'elle est vue en plan. La paroi annulaire (40) empêche l'entrée et/ou la sortie d'un gaz dans/depuis l'espace situé autour de la partie périphérique externe du substrat (W). ［課題］基板の外周部における温度の低下を抑制することができる基板液処理装置を提供する。 ［解決手段］処理液Ｌ１によって基板Ｗの処理面Ｓｗの液処理を行う基板液処理装置５は、基板Ｗを保持する基板保持部５２と、基板保