PHOTOSENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

A photosensitive field-effect transistor which can be configured to provide an electrical response when illuminated by electromagnetic radiation incident on the transistor. The field-effect transistor has a channel (13) made from a two-dimensional material and comprises a photoactive layer (22) which can be configured to donate charge carriers to the transistor channel (13) when electromagnetic radiation is absorbed in the photoactive layer (22). The photosensitive field- effect transistor comprises a top electrode (21) which is in contact with the photoactive layer on one or more contact areas which together form a contact pattern. With a suitably patterned top electrode (21), a voltage applied to the electrode can function as an electrical shutter which can switch the photosensitive field-effect transistor between a light-sensitive state and a light-immune state. La présente invention concerne un transistor à effet de champ photosensible qui peut être conçu pour fournir une réponse électrique lorsqu'il est éclairé par un rayonnement électromagnétique incident sur le transistor. Le transistor à effet de champ comporte un canal (13) constitué d'un matériau bidimensionnel et comprend une couche photoactive (22) qui peut être conçue pour donner des porteurs de charge au canal de transistor (13) lorsque le rayonnement électromagnétique est absorbé dans la couche photoactive (22). Le transistor à effet de champ photosensible comprend une électrode supérieure (21) qui est en contact avec la couche photoactive sur une ou plusieurs zones de contact qui forment ensemble un motif de contact. Avec une électrode supérieure à motif approprié (21), une tension appliquée à l'électrode peut fonctionner comme un obturateur électrique qui peut commuter le transistor à effet de champ photosensible entre un état sensible à la lumière et un état d'immunité à la lumière.