HYBRID HIGH-VOLTAGE LOW-VOLTAGE FINFET DEVICE

An integrated circuit includes a plurality of low-voltage FinFET transistors each having a channel length l and a channel width w, the low-voltage FinFET transistors having a first threshold voltage channel implant and a first gate dielectric thickness. The integrated circuit also includes a plurali...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: DHAOUI, Fethi, SINGARAJU, Pavan, MCCOLLUM, John
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An integrated circuit includes a plurality of low-voltage FinFET transistors each having a channel length l and a channel width w, the low-voltage FinFET transistors having a first threshold voltage channel implant and a first gate dielectric thickness. The integrated circuit also includes a plurality of high-voltage FinFET transistors each having the channel length / and the channel width w, the high-voltage FinFET transistors having a second threshold voltage channel implant greater than the first threshold voltage channel implant and second gate dielectric thickness greater than the first gate dielectric thickness. Selon l'invention, un circuit intégré comprend une pluralité de transistors FinFET basse tension qui présentent chacun une longueur de canal l et une largeur de canal w,, les transistors FinFET basse tension comportant un premier implant de canal à tension de seuil et une première épaisseur de diélectrique de grille. Le circuit intégré comprend également une pluralité de transistors FinFET haute tension qui présentent chacun la longueur de canal / et la largeur de canal w, les transistors FinFET haute tension comportant un second implant de canal à tension de seuil supérieur au premier implant de canal à tension de seuil et une seconde épaisseur de diélectrique de grille supérieure à la première épaisseur de diélectrique de grille.