ROTOR DISK FOR GUIDING SEMICONDUCTOR WAFERS AND METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS ON BOTH SIDES

Läuferscheibe zum Führen von Halbleiterscheiben während einer beidseitigen materialabtragenden Bearbeitung der Halbleiterscheiben, wobei die Läuferscheibe mit einer Schicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff beschichtet ist, und die Schicht Wasserstoff mit einem Anteil von nicht weniger als 10 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% und mindestens ein weiteres Fremdelement enthält, wobei das weitere Fremdelement Sauerstoff, Stickstoff, Chrom oder Titan ist, und eine Oberfläche der Schicht eine Rauheit Ra von nicht weniger als 5 nm und nicht mehr als 40 nm aufweist und einen Grad an Hydrophilie hat, dass der Benetzungswinkel eines Wassertropfens kleiner als 25° ist. Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben, bei dem eine solche Läuferscheibe eingesetzt wird. The invention relates to a rotor disk for guiding semiconductor wafers during material-removing machining of the semiconductor wafers on both sides. The rotor disk is coated with a layer of diamond-like carbon. The layer contains hydrogen in a proportion of not less than 10 atomic percent and not more than 30 atomic percent and at least one further foreign element. The further foreign element is oxygen, nitrogen, chromium or titanium. A surface of the layer has a roughness Ra of not less than 5 nm and not more than 40 nm and has such a degree of hydrophilicity that the wetting angle of a water drop is less than 25°. The invention further relates to a method for polishing semiconductor wafers on both sides, wherein a rotor disk of this type is used. Disque de rotor pour le guidage de plaquettes semi-conductrices durant un usinage par enlèvement de matière des deux faces des plaquettes semi-conductrices, le disque de rotor étant revêtu d'une couche de carbone de type diamant, et la couche contenant de l'hydrogène à un pourcentage non inférieur à 10% en atomes et non supérieur à 30% en atomes et au moins un autre élément étranger, l'autre élément étranger étant de l'oxygène, de l'azote, du chrome ou du titane, et une surface de la couche présentant une rugosité Ra non inférieure à 5 nm et non supérieure à 40 nm et ayant un degré d'hydrophilie tel que l'angle de mouillage d'une goutte d'eau est inférieur à 25°. Procédé pour le polissage des deux faces de plaquettes semi-conductrices dans lequel un tel disque de rotor est utilisé.