HIGH PRESSURE STEAM ANNEAL PROCESSING APPARATUS

Apparatuses for annealing semiconductor substrates, such as a batch processing chamber, are provided herein. The batch processing chamber includes a chamber body enclosing an internal volume, a cassette moveably disposed within the internal volume and a plug coupled to a bottom wall of the cassette. The chamber body has a hole through a bottom wall of the chamber body and is interfaced with one or more heaters operable to maintain the chamber body at a temperature of greater than 290°C. The cassette is configured to be raised to load a plurality of substrates thereon and lowered to seal the internal volume. The plug is configured to move up and down within the internal volume. The plug includes a downward-facing seal configured to engage with a top surface of the bottom wall of the chamber body and close the hole through the bottom wall of the chamber body. L'invention concerne des appareils de recuit de substrats semi-conducteurs, tels qu'une chambre de traitement par lots. La chambre de traitement par lots comprend un corps de chambre renfermant un volume interne, une cassette placée de façon mobile à l'intérieur du volume interne et un bouchon, couplé à une paroi inférieure de la cassette. Le corps de chambre comporte un trou formé à travers une paroi inférieure du corps de chambre et fait interface avec un ou plusieurs élément(s) chauffant(s) permettant de maintenir le corps de chambre à une température supérieure à 290 °C. La cassette est conçue pour être soulevée afin de charger une pluralité de substrats sur celle-ci, et abaissée pour fermer hermétiquement le volume interne. Le bouchon est conçu pour se déplacer vers le haut et vers le bas à l'intérieur du volume interne. Le bouchon comprend un joint orienté vers le bas, qui est conçu pour venir en prise avec une surface supérieure de la paroi inférieure du corps de chambre et obturer le trou formé à travers la paroi inférieure du corps de chambre.