SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device according to an embodiment of the present invention is configured such that the thickness of a semiconductor layer of an SOI substrate on which a field-effect transistor constituting an analog circuit is formed is set to 2-24 nm. Un dispositif semi-conducteur selon un mode de...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KAMOHARA, Shiro, NISHINO, Tatsuwo, UEJIMA, Kazuya, HASE, Takashi, ONDA, Michio
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor device according to an embodiment of the present invention is configured such that the thickness of a semiconductor layer of an SOI substrate on which a field-effect transistor constituting an analog circuit is formed is set to 2-24 nm. Un dispositif semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention est configuré de sorte que l'épaisseur d'une couche semi-conductrice d'un substrat SOI sur laquelle un transistor à effet de champ constituant un circuit analogique est formé est fixée à 2-24 nm. 一実施の形態における半導体装置では、アナログ回路を構成する電界効果トランジスタが形成されたＳＯＩ基板の半導体層の厚さを２ｎｍ以上、かつ、２４ｎｍ以下とする。