ASYMMETRIC FINFET IN MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

An asymmetric fin field-effect transistor (FinFET) in a memory device, a method for fabricating the FinFET and a semiconductor device are disclosed. In the provided FinFET and method, each of the active areas comprises a fin, a length of a first end of the fin on a first side of the active area and...

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Hauptverfasser: ZHU, Rongfu, LIN, Dingyou
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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