ASYMMETRIC FINFET IN MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE
An asymmetric fin field-effect transistor (FinFET) in a memory device, a method for fabricating the FinFET and a semiconductor device are disclosed. In the provided FinFET and method, each of the active areas comprises a fin, a length of a first end of the fin on a first side of the active area and...
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Format: | Patent |
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