ASYMMETRIC FINFET IN MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

An asymmetric fin field-effect transistor (FinFET) in a memory device, a method for fabricating the FinFET and a semiconductor device are disclosed. In the provided FinFET and method, each of the active areas comprises a fin, a length of a first end of the fin on a first side of the active area and covered by the word line being different from a length of a second end of the fin on a second side of the active area and covered by the word line. For this reason, the present invention allows reduced process difficulty. In addition, the different lengths of the word lines can induce a weaker unidirectional electric field which suffers from much less current leakage, compared to a bidirectional electric field created in word lines with equal such length. L'invention concerne un transistor à effet de champ à ailette asymétrique (FinFET) dans un dispositif de mémoire, un procédé de fabrication du FinFET et un dispositif à semi-conducteur. Dans le FinFET selon l'invention et le procédé, chacune des zones actives comprend une ailette, une longueur d'une première extrémité de l'ailette sur un premier côté de la zone active et couverte par la ligne de mots étant différente d'une longueur d'une seconde extrémité de l'ailette sur un second côté de la zone active et couverte par la ligne de mots. Pour cette raison, la présente invention permet de réduire la difficulté de traitement. De plus, les différentes longueurs des lignes de mots peuvent induire un champ électrique unidirectionnel plus faible qui souffre d'une fuite de courant beaucoup moins importante, par comparaison avec un champ électrique bidirectionnel créé dans des lignes de mots de longueur égale.