ACOUSTIC MANAGEMENT IN INTEGRATED CIRCUIT USING PHONONIC BANDGAP STRUCTURE

An encapsulated integrated circuit (100) includes an integrated circuit (IC) die (102). A phonon device (1 10, 111) is fabricated on the IC die (102) that is configured to emit (112) or to receive (113) phonons that have a range of ultrasonic frequencies. An encapsulation material (120) encapsulates the IC die (102). A phononic bandgap structure (121, 123) is included within the encapsulation material (120) that is configured to have a phononic bandgap with a frequency range that includes at least a portion of the range of ultrasonic frequencies. A phononic channel (115) is located in the phononic bandgap structure (121, 123) between the phonon device (110, 111) and a surface of the encapsulated IC die (102). Cette invention concerne un circuit intégré encapsulé (100), comprenant une puce de circuit intégré (CI) (102). Un dispositif à phonons (110, 111) est fabriqué sur la puce de CI (102), qui est configuré pour émettre (112) ou pour recevoir (113) des phonons qui ont une plage de fréquences ultrasonores. Un matériau d'encapsulation (120) encapsule la puce de CI (102). Une structure de bande interdite phononique (121, 123) est incluse dans le matériau d'encapsulation (120) qui est configuré pour avoir une bande interdite phononique avec une plage de fréquences qui comprend au moins une partie de la plage de fréquences ultrasonores. Un canal phononique (115) est situé dans la structure de bande interdite phononique (121, 123) entre le dispositif à phonons (110, 111) et une surface de la puce de CI encapsulée.