TRENCH-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH IMPROVED POLYSILICON GATE CONTACT

An integrated circuit (IC) device may include a plurality of trench-type field-effect transistors (trench FETs). Each trench FET may include a poly gate trench formed in an epitaxy region, a poly gate formed in the poly gate trench, a front-side poly gate contact, and a lateral gate coupling element (e.g., a lateral "strap") extending over or adjacent, and in contact with, at least one surface of the poly gate formed in the trench and electrically connecting the poly gate to the front-side poly gate contact. The lateral gate coupling element may be formed from a material having a higher electrical conductivity than the poly gate, e.g., tungsten or other metal. The lateral gate coupling element may be at least partially located in the poly gate trench. L'invention concerne un dispositif de circuit intégré (IC) qui peut comprendre une pluralité de transistors à effet de champ du type à tranchée (FET à tranchée). Chaque transistor à effet de champ à tranchée peut comprendre une tranchée de grille de polysilicium formée dans une région d'épitaxie, une grille de polysilicium formée dans la tranchée de grille de polysilicium, un contact de grille de polysilicium côté avant, et un élément de couplage de grille latérale (par exemple, une "sangle" latérale) s'étendant sur ou à côté, et en contact avec, au moins une surface de la grille de polysilicium formée dans la tranchée et connectant électriquement la grille de polysilicium au contact de grille de polysilicium côté avant. L'élément de couplage de grille latérale peut être formé à partir d'un matériau ayant une conductivité électrique supérieure à celle de la grille de polysilicium, par exemple du tungstène ou un autre métal. L'élément de couplage de grille latérale peut être au moins partiellement situé dans la tranchée de grille de polysilicium.