MICROELECTROMECHANICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Bei einem erfindungsgemäßen mikroelektromechanisches Bauteil sind mindestens ein mikroelektromechanisches Element (5), elektrische Kontaktierungselemente (3) und eine Isolationsschicht (2.2) und darauf eine Opferschicht (2.1), die mit Siliziumdioxid gebildet ist, auf einer Oberfläche eines CMOS-Schaltkreissubstrates (1) ausgebildet und das mikroelektromechanische Element (5) ist in mindestens einem Freiheitsgrad frei beweglich angeordnet. Am äußeren Rand des mikroelektromechanischen Bauteils, radial um alle Elemente des CMOS-Schaltkreises umlaufend ist eine gegenüber Flusssäure resistente, gas- und/oder fluiddichte geschlossene Schicht (4), die mit Silizium, Germanium oder Aluminiumoxid gebildet ist, auf der Oberfläche des CMOS-Schaltkreissubstrates (1) ausgebildet. In a microelectromechanical component according to the invention, at least one microelectromechanical element (5), electrical contacting elements (3) and an insulation layer (2.2) and thereon a sacrificial layer (2.1) formed with silicon dioxide are formed on a surface of a CMOS circuit substrate (1) and the microelectromechanical element (5) is arranged freely movably in at least one degree of freedom. At the outer edge of the microelectromechanical component, extending radially around all the elements of the CMOS circuit, a gas- and/or fluid-tight closed layer (4) which is resistant to hydrofluoric acid and is formed with silicon, germanium or aluminum oxide is formed on the surface of the CMOS circuit substrate (1). L'invention concerne un composant micro-électromécanique dans lequel au moins un élément micro-électromécanique (5), des éléments de mise en contact électrique (3), une couche d'isolation (2.2) et, sur celle-ci, une couche sacrificielle (2.1) formée de dioxyde de silicium sont formés sur une surface d'un substrat de circuit CMOS (1) et l'élément micro-électromécanique (5) est monté librement mobile avec au moins un degré de liberté. Sur le bord extérieur dudit composant micro-électromécanique, radialement tout autour de tous les éléments du circuit CMOS, une couche fermée (4), étanche aux gaz et/ou aux fluides et résistante à l'acide fluorhydrique, formée de silicium, de germanium ou d'oxyde d'aluminium, est réalisée sur la surface du substrat de circuit CMOS (1).