SELF-ALIGNED EMBEDDED PHASE CHANGE MEMORY CELL

An integrated circuit comprising a self-aligned embedded phase change memory cell is described. In an example, the integrated circuit includes a bottom electrode. A conductive line is above the bottom electrode along a first direction above a substrate. A memory element is coupled between the bottom electrode and the conductive line, the memory element comprising a phase change material layer that is self-aligned with the conductive line. La présente invention concerne un circuit intégré comprenant une cellule de mémoire à changement de phase intégrée auto-alignée. Dans un exemple, le circuit intégré comprend une électrode inférieure. Une ligne conductrice est au-dessus de l'électrode inférieure le long d'une première direction au-dessus d'un substrat. Un élément de mémoire est couplé entre l'électrode inférieure et la ligne conductrice, l'élément de mémoire comprenant une couche de matériau à changement de phase qui est auto-alignée avec la ligne conductrice.