SEMICONDUCTOR ELEMENT, HIGH-FREQUENCY CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE

A switch IC (10) comprises: a base (10a); a rectangular first switch part (11) that is disposed on the base (10a) and has a plurality of switches (11a to 11c); and an amplification part (16) that is disposed on the base (10a) and has a plurality of amplification circuits (16a to 16d) to which a high-frequency signal that has passed through the first switch part (11) is input, wherein when viewing the base (10a) in plan view, the amplification part (16) is constituted by a first region A that extends along a first side from among the four sides of the first switch part (11), a second region B that extends along a second side orthogonal to the first side, and a third region C that extends along a third side parallel to the first side and orthogonal to the second side, and at least one of the plurality of amplification circuits (16a to 16d) is disposed on each of the first region A, the second region B, and the third region C. Selon l'invention, un CI de commutation (10) comprend : une base (10a) ; une première partie de commutation rectangulaire (11) qui est disposée sur la base (10a) et comporte une pluralité de commutateurs (11a à 11c) ; et une partie d'amplification (16) qui est disposée sur la base (10a) et comporte une pluralité de circuits d'amplification (16a à 16d) auxquels est fourni un signal haute fréquence qui est passé à travers la première partie de commutation (11), où, en vue en plan de la base (10a), la partie d'amplification (16) est constituée d'une première région A qui s'étend le long d'un premier côté parmi les quatre côtés de la première partie de commutation (11), une deuxième région B qui s'étend le long d'un deuxième côté orthogonal au premier côté, et une troisième région C qui s'étend le long d'un troisième côté parallèle au premier côté et orthogonal au deuxième côté, et au moins un circuit de la pluralité de circuits d'amplification (16a à 16d) est disposé sur chacune des première région A, deuxième région B, et troisième région C. スイッチＩＣ（１０）は、基体（１０ａ）と、基体（１０ａ）上に配置され、複数のスイッチ（１１ａ～１１ｃ）を有する矩形状の第１スイッチ部（１１）と、基体（１０ａ）上に配置され、第１スイッチ部（１１）を通過した高周波信号が入力される複数の増幅回路（１６ａ～１６ｄ）を有する増幅部（１６）と、を備え、基体（１０ａ）を平面視したときに、増幅部（１６）は、第１スイッチ部（１１）の四辺のうちの第１辺に沿って延びる第１領域Ａと、第１辺と直交する第２辺に沿って延びる第２領域Ｂと、第１辺と平行かつ第２辺と直交する第３辺に沿って延びる第３領域Ｃとで構成され、第１領域Ａ、第２領域Ｂおよび第３領域Ｃの各領域上に、複数の増幅回路（１６ａ～１６ｄ）のうちの少なくとも一つが配置されている。