INTERDIGITATED BACK-CONTACTED SOLAR CELL WITH P-TYPE CONDUCTIVITY

A back-contacted solar cell based on a silicon substrate of p-type conductivity has a front surface for receiving radiation and a rear surface. The rear surface is provided with a tunnel oxide layer and a doped polysilicon layer of n-type conductivity. The tunnel oxide layer and the patterned doped polysilicon layer of n-type conductivity form a patterned layer stack provided with gaps in the patterned layer stack. An Al-Si alloyed contact is arranged within each of the gaps, in electrical contact with a base layer of the substrate, and one or more Ag contacts are arranged on the patterned doped polysilicon layer and in electrical contact with the patterned doped polysilicon layer. L'invention porte sur une cellule solaire à contact arrière, basée sur un substrat en silicium à conductivité du type p, qui présente une surface avant destinée à recevoir un rayonnement et une surface arrière. La surface arrière est pourvue d'une couche d'oxyde tunnel et d'une couche de polysilicium dopé à conductivité du type n. La couche d'oxyde tunnel et la couche de polysilicium dopé à conductivité du type n à motifs forment un empilement de couches à motifs comportant des espaces dans l'empilement de couches à motifs. Un contact en alliage Al-Si est disposé à l'intérieur de chacun des espaces, en contact électrique avec une couche de base du substrat, et un ou plusieurs contacts Ag sont disposés sur la couche de polysilicium dopé à motifs et en contact électrique avec la couche de polysilicium dopé à motifs.