METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

A method for manufacturing a semiconductor device (10) is provided. The method comprises the steps of providing a semiconductor body (11), forming a trench (12) in the semiconductor body (11) in a vertical direction (z) which is perpendicular to the main plane of extension of the semiconductor body (11), and coating inner walls (13) of the trench (12) with an isolation layer (14). The method further comprises the steps of coating the isolation layer (14) at the inner walls (13) with a metallization layer (15), coating a top side (16) of the semiconductor body (11), at which the trench (12) is formed, at least partially with an electrically conductive contact layer (17), where the contact layer (17) is electrically connected with the metallization layer (15), coating the top side (16) of the semiconductor body (11) at least partially and the trench (12) with a capping layer (24), and forming a contact pad (18) at the top side (16) of the semiconductor body (11) by removing the contact layer (17) and the capping layer (24) at least partially. Furthermore, a semiconductor device (10) is provided. La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteur (10). Le procédé comprend les étapes consistant à fournir un corps semi-conducteur (11), à former une tranchée (12) dans le corps semi-conducteur (11) dans une direction verticale (z) qui est perpendiculaire au plan principal d'extension du corps semi-conducteur (11), et à recouvrir des parois internes (13) de la tranchée (12) d'une couche d'isolation (14). Le procédé comprend en outre les étapes consistant à recouvrir la couche d'isolation (14) au niveau des parois internes (13) d'une couche de métallisation (15), à recouvrir un côté supérieur (16) du corps semi-conducteur (11), au niveau duquel la tranchée (12) est formée, au moins partiellement d'une couche de contact électroconductrice (17), la couche de contact (17) étant raccordée électriquement à la couche de métallisation (15), à recouvrir le côté supérieur (16) du corps semi-conducteur (11) au moins partiellement et la tranchée (12) d'une couche de recouvrement (24), et à former un plot de contact (18) sur le côté supérieur (16) du corps semi-conducteur (11) par retrait de la couche de contact (17) et de la couche de recouvrement (24) au moins partiellement. La présente invention porte en outre sur un dispositif à semi-conducteur (10).